近日，中微第十八届全国MOCVD学术会议于湖北恩施成功落下帷幕。公司中微公司MOCVD技术团队受邀出席了此次盛会并在《材料生长、受邀术表征与装备》技术论坛发表主题演讲，出席和MOCVD领域的第届学界泰斗与产业先锋们共话产业发展的未来趋势。

自1989年首届召开以来，全国全国MOCVD学术会议每两年一届，中微见证了中国MOCVD技术与化合物半导体材料研究从萌芽到繁盛的公司辉煌历程。本次会议在湖北恩施举办，受邀术议题广泛，出席涵盖了MOCVD生长机理与外延技术、第届MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、全国材料结构与物性、中微光电子器件、公司电力电子器件、受邀术微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域，有力促进了产业链上下游的深度融合与协同发展。

中微公司MOCVD工艺技术高级总监胡建正博士受邀在《材料生长、表征与装备》技术论坛作了题为《采用PRISMO HiT3 MOCVD进行紫外LED的外延生长优化》的技术分享。演讲直击UV LED技术的核心挑战，揭示了与蓝绿光LED相比，紫外领域尚待跨越的效率与寿命鸿沟，并展示了中微公司的创新解决方案，引起在场嘉宾的广泛关注。

胡建正博士深入剖析了中微公司PRISMO HiT3 MOCVD系统在外延工艺上的精妙运用，通过精密调控衬底图案、优化缓冲层策略与载气流速，实现了位错密度低至7x108cm-2的高质量AlN晶体，为高性能紫外LED奠定了坚实基础。此外，PRISMO HiT3采用渐变铝组分超晶格策略与先进镁掺杂技术，有效调控应力与提升掺杂效率，加之精心设计的多量子阱结构，减少了极化效应，使电子与空穴注入效率显著增强，275nm深紫外LED的光输出功率跃升20%。

面向未来，中微公司将坚持贯彻“三维发展战略”，持续践行和倡导“四个十大”的企业文化，矢志不渝追求技术创新，与业界伙伴紧密合作，共谋MOCVD产业的璀璨明天。

关于中微半导体设备（上海）股份有限公司

中微半导体设备（上海）股份有限公司（证券简称：中微公司，证券代码：688012）致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户先进工艺的众多刻蚀应用，中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。